Pixel Structure and Circuit

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Storage on Common Electrode

 

 

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Storage on GateLine

 

 

이 경우 특정 Row 의 Gate전압이 인가되어, Data가 주입되는 상황에서 

Data 전압이 Storage Capacitor의 전압 변화를 야기시키고
이는 Previous Row의 Gate 라인의 전압 변화이기 때문에, 해당 열의 TFT의 Gate가 미세하게 열리게 될 수 있다. 

그러나 충전이 된 Previous Row 열의 전압을 변화시킬 정도의 시간은 촉박하므로 

Pixel의 전계변화에 대한 영향력 또한 미미하다. 

 

그리고 TFT의 경우 게이트 전압을 OFF 방향으로 준다 하더라도
`V_(ds)`가 존재하는 이상 완전한 밀폐는 사실상 불가능 하다. 

허용누설전류 : 누설된 전류와 사용자가 체감하는 휘도의 변화량