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상기의 디스플레이 회로에서 TFT의 특성을 알아보자.회로도를 간략화 하면 밑에와 같은 회로로 표현할 수 있다. 게이트의 입력 전압은 -20~20V 이며, Drain 과 Source의 전압 차이, 즉 Data Line의 최대 전압은 10V로 간주한다.  이 때의 TFT에서 `V_text(Gate)` 전압에 따른 전류의 특성은 아래와 같이 나타난다. `a-Si` 의 경우 -5V에서 off가 되며 피코단위의 전류 누설이 발생된다. 즉, 완전한 오프는 불가능하다는 의미이다. 이는 `DeltaL`인 브릿지의 길이가 짧을 수록, 그리고 Drain과 Source의 전압이 클 수록 누설이 더 많이 발생된다. 20V 이상에서는 완전한 Saturation 영역으로 진입하며, 더 이상의 전류는 상승되지 않는다. 작동 전압의..

Storage on Common Electrode  Storage on GateLine  이 경우 특정 Row 의 Gate전압이 인가되어, Data가 주입되는 상황에서 Data 전압이 Storage Capacitor의 전압 변화를 야기시키고 이는 Previous Row의 Gate 라인의 전압 변화이기 때문에, 해당 열의 TFT의 Gate가 미세하게 열리게 될 수 있다. 그러나 충전이 된 Previous Row 열의 전압을 변화시킬 정도의 시간은 촉박하므로 Pixel의 전계변화에 대한 영향력 또한 미미하다.  그리고 TFT의 경우 게이트 전압을 OFF 방향으로 준다 하더라도`V_(ds)`가 존재하는 이상 완전한 밀폐는 사실상 불가능 하다. 허용누설전류 : 누설된 전류와 사용자가 체감하는 휘도의 변화량

Scan(row)라인이 닫히고 다음 라인으로 넘어가도커패시터에 의해 액정의 상판과 하판의 전계가 유지되고 있음을 알 수 있다. 즉, 빛의 광량은 잠시나마 유지가 되는데, 그 시간 동안 화면 전체를 스캔하고 다시 한바퀴를 돌 수 있다면, 어지간해서는 사람의 눈으로 감소되는 전압을 느끼는 것은 불가능하다.데이터는 row 단위로 이산적으로 떨어지기 때문에 눈이 이미지가 Static 하다고 믿기 위해서는 이렇게 전압을 유지시키는 회로가 필요하다. 디스플레이의 해상도가 커질 수록, 그리고 디스플레이의 픽셀의 크기가 커질 수록(화면이 커질수록) 더욱 필요로 하는 기술이다.이는 궁극적으로 DRAM의 기술에서도 사용이 된다.