I-V Characteristics of a-Si TFT

 

상기의 디스플레이 회로에서 TFT의 특성을 알아보자.

회로도를 간략화 하면 밑에와 같은 회로로 표현할 수 있다. 

게이트의 입력 전압은 -20~20V 이며, Drain 과 Source의 전압 차이, 즉 Data Line의 최대 전압은 10V로 간주한다. 

 

이 때의 TFT에서 `V_text(Gate)` 전압에 따른 전류의 특성은 아래와 같이 나타난다. 

`a-Si` 의 경우 -5V에서 off가 되며 피코단위의 전류 누설이 발생된다. 

즉, 완전한 오프는 불가능하다는 의미이다. 

이는 `DeltaL`인 브릿지의 길이가 짧을 수록, 그리고 Drain과 Source의 전압이 클 수록 누설이 더 많이 발생된다. 

20V 이상에서는 완전한 Saturation 영역으로 진입하며, 더 이상의 전류는 상승되지 않는다. 
작동 전압의 범위는 -5V~20V이며, 기울기는 R로서 급격할수록 전압은 빠르게 충전된다. 

여기서 중요한 사실은, TFT는 완전하게 Close 되지 못한다는 사실이다.

누설전류와 그 특성을 설계계산에 꼭 포함시켜야만 한다.